[바미] 삼성의 새로운 2nm 로드맵은 후면 전원 공급의 2027년 출시를 보여줌

 

삼성은 최근 파운드리 포럼 행사에서 새로운 로드맵을 공개하며 최첨단 공정 기술과 첨단 칩 패키징 솔루션을 선보였습니다. 2nm 및 1.4nm 공정에서 획기적인 발전을 이룬 삼성은 AI 붐 속에서 TSMC와 같은 라이벌과 경쟁할 준비가 되어 있는 것으로 보입니다.

먼저 삼성은 칩 성능과 효율성의 한계를 뛰어넘기 위한 두 가지 새로운 공정 노드를 공개했습니다. 그 주인공은 2027년에 양산될 예정인 2nm SF2Z 공정입니다. 이 공정은 실리콘 웨이퍼의 뒷면에 전원 레일을 라우팅하는 후면 전원 공급 네트워크(BSPDN)라는 영리한 트릭을 담고 있습니다. 이 설계는 고성능 컴퓨팅 구축을 방해하는 성가신 간섭 문제와 전압 강하를 제거합니다.

SF2Z는 또한 삼성의 기존 2nm SF2 노드에 비해 전반적인 PPA(전력, 성능, 면적)가 개선되었습니다. SF2는 삼성의 2세대 3nm 공정을 2nm로 리브랜딩한 것으로, 인텔 파운드리와 더 나은 경쟁을 하기 위해 만들어진 것으로 보입니다. 삼성의 다른 2nm 노드와 결합하면 이 제조 공정의 변형 수는 최대 5개로 늘어납니다.

 

삼성은 모바일 기기용 SF2 및 SF2P 노드를 판매하고 있지만, SF2X 및 SF2Z의 타깃 고객은 고성능 컴퓨팅(HPC)입니다. 한편, 마지막 2nm 노드는 2027년에 자동차 애플리케이션에 출시될 예정입니다. 이번에 공개된 또 다른 새로운 노드는 2025년 대량 생산에 들어가는 4nm SF4U로, 광학 수축을 사용해 PPA를 향상시킵니다.

삼성은 또한 2027년 양산을 목표로 SF1.4(1.4nm) 공정 작업이 순조롭게 진행되고 있다고 언급했습니다. 하지만 1.4nm 이하의 장벽을 깨기 위해서는 획기적인 재료 및 구조적 혁신이 필요하다는 점을 인정했습니다.

삼성이 기대하는 주요 이점 중 하나는 게이트-올-어라운드(GAA) 트랜지스터의 성숙도가 높아지고 있다는 점입니다. 이 3D 트랜지스터 구조는 기존 핀펫 설계보다 뛰어난 스위칭 성능과 낮은 전력을 제공합니다. 삼성은 2022년부터 GAA 칩을 생산하고 있으며, 향후 2nm 공정에 이 기술을 통합할 계획입니다.

 

삼성은 또한 2027년부터 공동 패키지 광학(CPO)을 도입할 계획에 대해 베일을 벗었습니다.

 

이 회사는 보도자료를 통해 "AI 칩에 최적화된 검증된 GAA 공정과 함께 고속, 저전력 데이터 처리를 위한 통합 공동 패키지 광학(CPO) 기술을 도입하여 고객이 이 혁신적인 시대에 성공하는 데 필요한 원스톱 AI 솔루션을 제공할 계획입니다."라고 설명했습니다.

 

마지막으로, 이 회사는 파운드리 사업에서 다양한 공정 노드에 걸쳐 지난 한 해 동안 AI 관련 매출이 80% 급증했다고 주장했습니다. 최근 전년 대비 262%라는 놀라운 매출 증가를 기록한 Nvidia를 비롯한 다른 칩 제조업체들이 지속적인 AI 호황을 누리고 있다는 점을 고려하면 이는 놀라운 일이 아닙니다.

출처

https://www.techspot.com/news/103410-new-samsung-2nm-roadmap-shows-backside-power-delivery.html